最加一个问题，U盘的质量会变化不？

ydwo1 · 发表于 2011-7-27 21:15

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关于前一天，硬盘空间空满的重量变化问题，收到了很多网友的讨论，我细细阅读后受益匪浅。

但是一个新的问题又摆在我的面前，如果是U盘的空间存储的空满会改变U盘重量吗？
U盘和硬盘的存储原理好像是不同的哦？

沈星辰 · 发表于 2011-7-27 23:00

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

yuansoul · 发表于 2011-7-28 08:30

计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号（加入分配、核对、堆栈等指令）读写到USB芯片适配接口，通过芯片处理信号分配给EEPROM存储芯片的相应地址存储二进制数据，实现数据的存储。EEPROM数据存储器，其控制原理是电压控制栅晶体管的电压高低值，栅晶体管的结电容可长时间保存电压值，断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
所以，u盘储存表现只是结电压改变，并不是电子动能增加，故此理论上质量没有变化。

ssg552 · 发表于 2011-7-28 08:35

假如…………我说的是假如……
假如储存了东西的什么盘（除了菜盘）的质量会增加，那是不起说储存的数据也是有质量的呢？？

yuansoul · 发表于 2011-7-28 08:58

假如…………我说的是假如……
假如储存了东西的什么盘（除了菜盘）的质量会增加，那是不起说储存的数据也 ...
ssg552 发表于 2011-7-28 08:35

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相对于与暗能量来说，可能成立

ydwo1 · 发表于 2011-7-28 16:05

天啊，太高深了~~~我不懂了~~

lowman · 发表于 2011-7-28 18:41

灌水来了…………………………………………………………………………

eyuhouyun · 发表于 2011-7-29 15:23

板凳正解其余参观吧

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