电荷所在位置确实是有因为两边磁通变化产生的感应电场存在的,具体数值我不清楚,因为看起来计算不简单,圆形区域内的磁通变化引起的感应电场才是比较好算的,这时对称性好,不规则形状的ms就很麻烦了,,,,虽然不知道感应电场的具体数值,不过仍然可以看出,在你的图像里这一数值将明显的依赖于磁通变化的速度,也就是依赖于磁铁运动模型中磁铁运动的速度,但电荷所在位置的磁场则是与磁通变化速度关联不大的,,,,于是在你的图像中,我可以让磁通变化的非常迅速同时又控制着电荷所在位置的磁场仍然非常接近于磁铁静止时候的数值,也就是在本来绝对正确的磁铁运动的模型中提高运动速度v而同时又保证在电荷附近的磁场变化很微小,,,,你的图像中的这一现象直接的与通过洛仑兹变换得到的磁场中的因子 1/(1-v^2/c^2)^0.5 相矛盾,因为这一因子的存在使得随着速度的提高磁场的强度将不可避免的减弱,,,,,,,,
feng1734 发表于 2010-12-9 22:13
我算过(需要一些技巧),结果是:两端磁场变化在电荷处感生的电场总是正好等于VXB。另外,两端磁场变化,并不会引起电荷处磁场的变化。
重要的是,假设磁铁的直径有一光年,磁铁距离电荷有一光年。当磁铁开始移动的时候,电荷能够即时地受到洛伦兹力吗?“磁铁开始运动”这个事件的“信息”能够瞬间被电荷感知吗? |